Все категории
Подборки рекомендуемых товаров
Trade Assurance
Центр покупателей
Справочный центр
Скачать приложение
Стать поставщиком

100% оригинальный IGBT 40A/600V SGT40N60NPFD SGT40N60 40N60NPFD TO-3P 40N60

Пока нет отзывов36 продано

Основные характеристики

Базовая отраслевая спецификация

Модели
SGT40N60NPFD

Тип
IGBT транзистор

Наименование
original

Тип упаковки
Сквозное отверстие

Другие характеристики

Тип крепления
DIP

Описание
SILAN

Происхождение товара
Zhejiang, China

Тип корпуса
standard

d/c
Newest

品名
standard

Коллектор тока (Ic) (макс)
standard

Пробой излучателя коллектора напряжения (макс.)
standard

Насыщенность Vce (Макс) @ Ib, Ic
standard

Отсек коллектора тока (макс.)
standard

Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce
standard

Мощность макс
standard

Частота-Переход
standard

Рабочая Температура
standard

Резистор-основание (R1)
standard

Основание резистора-излучателя (R2)
standard

Полевых транзисторов типа
standard

Полевого транзистора характеристика
Стандарт

Слив в исходное напряжение (Vdss)
standard

Ток-непрерывный слив (Id) при 25 °C
standard

Rds On (Max) @ Id, Vgs
standard

Vgs (th) (Max) @ Id
standard

Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
standard

Входная емкость (СНПЧ) (Max) @ Vds
standard

Частота
standard

Номинальный ток (Ампер)
standard

Коэффициент шума
standard

Power-выходная мощность
standard

Напряжение-номинальное
standard

Напряжение привода (Макс Rds вкл., мин Rds вкл.)
standard

Vgs (макс)
standard

Доступны IGBT
standard

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
standard

Входная емкость (Cies) @ Vce
standard

Входной сигнал
standard

NTC термистор
standard

Пробой напряжения (V (BR) GSS)
standard

Ток-слив (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
standard

Ток слива (Id)-макс
standard

Отключение напряжения (VGS off) @ Id
standard

Сопротивление-RDS (ВКЛ)
standard

Напряжение
standard

Напряжение-выход
standard

Смещение напряжения (Vt)
standard

Ток-ворота для утечки анода (Igao)
standard

Ток-долина (Iv)
standard

В настоящее время-Peak
standard

Применения
standard

Product Name
IGBT Transistors

Collector to Emitter Voltage
600 V

Current
40 A

Package
TO-3p, Tube

Total Gate Charge
120 nC

Operating Temperature
-55℃~150℃

Quality
Guarantee

DATE CODE
2019+

Power dissipation
290 W

Gate to Emitter Voltage
+/-20 V

Упаковка и доставка

Подробности об упаковке
Быть упакованным со стандартной трубкой и коробкой

Реализуемые товары:
Одно наименование товара

Размер одной упаковки:
3X1X0.3 см

Один вес брутто:
0.008 кг

Срок выполнения заказа

Количество (шт.)1 - 12001201 - 10000 > 10000
Примерное время (в днях)25Подлежит согласованию

Изготовление на заказ

Эмблема на заказ
Мин. заказ: 100000000
1 - 99 шт.
103,08 ₽
100 - 999 шт.
82,46 ₽
>= 1000 шт.
72,16 ₽

Количество

Транспортировка

Транспортные решения для выбранного количества в настоящее время недоступны
Всего товаров (0 вариантов 0 товаров)
$0.00
Общая стоимость доставки
$0.00
Подытог
$0.00

Преимущества для участников

Быстрый возврат средств по заказам на сумму менее 1000 USDПолучить сейчас

Защита для этого товара

Delivery via

Expect your order to be delivered before scheduled dates or receive a 10% delay compensation

Безопасные платежи

Каждый ваш платеж на Alibaba.com защищен с помощью надежного SSL-шифрования и протоколов защиты данных PCI DSS

Политика возврата средств и Easy Return

Подайте заявку на возврат средств, если ваш заказ не был отправлен, утерян или были выявлены проблемы с поступившим товаром. Кроме того, для дефектных товаров доступен бесплатный местный возврат